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氦离子气相色谱仪适用范围
发布时间:2018-07-03   点击次数:203次
   氦离子气相色谱仪适用范围
  氦离子气相色谱仪在大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)和半导体器件制造中,用于气相外延生长、化学气相淀积等工艺。
  1.外延(生长)混合气在半导体工业中,在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法,生长一层或多层的材料所用的气体叫做外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,氧化硅膜淀积,氮化硅膜淀积,太阳能电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积等。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。
  2.化学气体淀积(CVD)用混合气CVD是利用挥发性化合物,通过气相化学反应沉积某种单质或化合物的一种方法,即应用气相化学反应的一种成膜的方法。依据成膜种类,使用的化学气相淀积(CVD)气体也不同。
  氦离子气相色谱仪适用于高纯氢、氧、氩、氮、氦、氖、氪、氙、二氧化碳等气体中痕量杂质的检测,仪器配备高灵敏度的氦离子化(PDHID)检测器,采用中心切割与反吹技术,配置具有吹扫保护气路的进样切换阀和进口氦气纯化器,通过无死体积取样或在线进样方式,一次性完成上述高纯气体中H2、O2(Ar)、N2、CH4、CO、CO2等常见杂质或C1-C4等碳氢化合物的检测,检测限达ppb级,重复性RSD≤1%。

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